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WLP-8

WLP-8無掩膜直寫光刻設備應用于晶圓級封裝、系統級封裝、板 級封裝、功率器件、分立元件等先進封裝和芯片制造領域的量產 型直寫光刻設備,光刻精度能夠達到最小線寬2μm,產能30-60片 /小時,支持先進封裝及芯片制造的RDL功能,適用于中試、生產 等量產產線使用。
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1.產品描述

 

       WLP-8無掩膜直寫光刻設備應用于晶圓級封裝、系統級封裝、板 級封裝、功率器件、分立元件等先進封裝和芯片制造領域的量產 型直寫光刻設備,光刻精度能夠達到最小線寬2μm,產能30-60片 /小時,支持先進封裝及芯片制造的RDL功能,適用于中試、生產 等量產產線使用。

 

2.產品特點

 

   •  晶圓級封裝及系統級封裝曝光

 

   •  器件直寫曝光功能

 

   •  支持RDL功能

 

   •  高精度環境控制系統

 

   •  支持多種數據輸入格式(GDSⅡ/DXF/CIF/Gerber BMP/TIFF)

 

   •  基于Windows系統,用戶界面方便操作

 

   •  支持背面對準功能

 

3.技術規格

設備型號 WLP-8
最小線寬[μm] 2
最高產能[wph] 30-60
套刻精度[3σ,nm] 0.5
最大基板尺寸[inch] 12
線寬均勻性[3σ,nm] 0.2
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